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SEMICONDUCTOR DIVISION

불산 기상 식각 장비(HF Vapor Phase Etcher)(데모테스트 문의) 요약정보 및 구매

제조사 Idonus
원산지 Switzerland
모델 VPE 100/150/200

제품 상세설명


Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

 

 

                                                                                                                                                                                                                                                         

제 품 설 명 서

 

1. 사용목적

-식각 장비 HF VPE는 불산을 사용하여 4”, 6", 8" 사이즈 기판에 식각을 진행하는 장비이며 SiO2등의 식각률은 4-10µm/h 입니다. 

2. 구성

-VPE100reaction chamber, 웨이퍼 홀더로 구성되어 있습니다.

 

3. 옵션사항

1.    Electrostatic Chuck for Multiple Chip Clamping

-정전력을 사용하여 여러 종류의 칩, 웨이퍼를 고정할 수 있으며 이 장치는 웨이퍼

칩을 자주 사용하는 R&D에서 많이 쓰입니다.

-식각 중 웨이퍼 후면부를 보호할 수 있습니다.

-다이싱한 웨이퍼 칩에 식각 공정을 진행함으로 부드러운 Suspension의 반도체소자  를 생산할 수 있습니다.

  

2.    Safety Mesh & Adaptor Rings for Wafer Holder

-불산 저항력이 있는 Safety meshreaction chamber 내에 위치하며 안전 목적으로 설치됩니다.

 

3.    Reaction Chamber Temperature Control

-기판의 식각률은 불산의 미세한 온도차이에도 변화합니다.

-불산은 실온에 영향을 받으며 식각이 오래 진행될수록 온도가 올라갑니다.

-이러한 이유로 컨트롤러를 사용하여 불산의 온도를 조정할 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 

4. 사용방식

-식각장치 VPE은 불산을 증기로 사용하여 식각하는 방식입니다.

-HF용액이 reaction chamber에 채워지면 웨이퍼 홀더와 연결되어 실온에 기화하면서 식각이 진행됩니다.

-식각 진행 후, 사용되었던 불산은 reaction chamber 내의 reserivoir(저장고)에 저장됩니다.

-기체상태의 불산을 액화시켜 처음과 같은 상태로 재사용 할 수 있습니다.

-웨이퍼를 고정 시 2가지 방법이 있습니다.

1). 웨이퍼를 기본 제공되는 Mechanical 클램핑 링을 사용하여 물리적으로

고정시키는 방법. 고정 걸쇠는 웨이퍼 후면부에 고정됩니다.

2). 옵션 사항으로 구매할 수 있는 Electrostatic Chuck을 사용하면 더 큰 사이즈의 칩, 기판을 고정할 수 있습니다.

 

5. 주요 특징

n  , 용액을 안전하게 처리 가능

n  재사용 가능한 불산

n  웨이퍼 클램핑 사용 방법이 매우 간단함

n  모든 웨이퍼 크기에 적합

n  wet bench에서 별도설치 없이 장비사용 가능

n  웨이퍼를 뒤집어서 식각 가능

n  웨이퍼 후면 보호

n  낮은 운영 비용

 

 

6. 장비 사양

Product Code

VPE100

Wafer sizes

100 mm or 4”

Etchant compatibility

HF 60% mixtures of HF and organic solvents

Etching characteristics

Etch rate

Etching homogeneity

Back side protection

Etching exclusion

Etching materials

Resistant materials

 

2-30 µm/h

Typically 90% (on wafer surface); min 50%

Typically 3mm exclusion form the edge

5mm from the edge of the clamping ring

Silicon dioxide (SiO2)

Silicon, poly-silicon, noble metals, aluminum

Wafer holder with heating plate

Operating temperature

 

35C to 60C

Wafer clamping:

Mechanical clamping ring

Wafer contact

Mechanical clamping

 

Electrostatic clamping (optional)

 

For 100mm wafers ( other sizes optional)

By 6 clips at Ø 94 mm

Screwing with 3 large nuts from backside; nuts are

Never in direct contact with HF acid vapor

For single chips (>5 mm) as well as 100mm wafers

For all electrically conductive materials

Bipolar electrostatic chuck

Reaction chamber & reservoir

Communicating Vessels

Safe acid handling system

Re-use of HF acid

100 ml (max. 160 ml)

Controller

Power supply

Power consumption

Front panel protection

Separate housing or rack mounting version

110 V AC 60 Hz or 230 V AC 50 Hz

200Va

IP65 (spraywater resistant)

Materials

All materials HF resistant

Dimention (mm)

Wafer holder

Reaction Chamber with reservoir

Controller unit

 

Ø 165 x 50 ; (with handle: 165 x 300 x 50)

200 x 250 x 340 (w x h x l)

210 x 70 x 220 (w x h x l)

Installation

Need of

Acid fume hood with air extraction

Electrical power

Wafer for rinsing

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